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TSMC28HPC+ 14-bit Pipeline ADC 第一级 MDAC OTA

交付状态:45 点 PVT 全部通过(495/495 个 case,status: pass)。 开环增益、差模环 PM、CMFB1/CMFB2 PM、闭环噪声、五档残差建立、最差码型转换、 输出共模、器件饱和区——全部规格在全部 45 个 PVT 点满足。本文所有数值由 results/tsmc28_mdac_ota_signoff_final.json 自动汇总,不手抄。 两项余量偏薄(建立 4.98/5.0 ns、共模 19.6/20 mV)且补偿网络对元件容差敏感, 见 §10——这是一次标称设计通过,不等于量产签核。

100 MS/s、14-bit pipeline ADC 第一级(4-bit 子 ADC、残差增益 8、保持相 5 ns) 的全差分两级 OTA。测试台 JSON 由单一事实源 examples/tsmc28_mdac_ota_gen.py 生成, DUT 块在全部 7 个测试台中逐字节一致。许可模型只从本机 TSMC28_MODEL_DIR / TSMC28_PDK_ROOT / PDK_ROOT 解析,不进入仓库;可提交 网表只引用逻辑模型名 tsmc28hpcp.nmos / tsmc28hpcp.pmos

1. ADC → OTA 指标推导

1.1 噪声预算与 CDAC 电容

差分满量程 0.9 Vpp → 满幅正弦 (V_{sig,rms}=0.9/(2\sqrt2)=318.2\ \mathrm{mV})。 目标 SNR 72 dB:

[ V_{n,total}=318.2\ \mathrm{mV}/10^{72/20}=79.9\ \mathrm{\mu V_{rms}} ]

级间放大器承担总噪声功率的一半 → 折算到 ADC 输入的 OTA 预算 (79.9/\sqrt2=56.5\ \mathrm{\mu V_{rms}});另一半给采样 (2kT/C_s):

[ C_s\ge\frac{2kT}{(56.5\ \mathrm{\mu V})^2}=2.595\ \mathrm{pF}\ \Rightarrow\ \boxed{C_s=C_{in}=2.6\ \mathrm{pF/侧}} ]

4-bit CDAC 用 8:4:2:1 加一个 dummy 单位电容,单位 162.5 fF,每侧合计 2.6 pF。

1.2 残差范围与反馈电容

4-bit 子 ADC + 增益 8 含 1 bit 冗余:标称残差 (\pm FS/32=\pm28.125) mV, 最大合法残差 (\pm FS/16=\pm56.25) mV。电荷转移结构信号增益 = (C_s/C_f):

[ \boxed{C_f=C_s/8=325\ \mathrm{fF/侧}} ]

闭环差分输出最大 (8\times56.25=450) mV,即每端绕共模摆 ±225 mV。 0.9 V 供电下输出级只能是共源两管栈——这是二级不做 cascode 的原因。

1.3 反馈系数、增益与建立

噪声增益 (NG=(C_s+C_f+C_{gg1})/C_f)。实测 (C_{gg}(M1)\approx0.55) pF (L=0.18 短沟化后)→ (NG\approx10.7),(\beta\approx1/10.7)。

  • 静态增益:(1/(1+\beta A_0)\le0.1\%\Rightarrow \beta A_0\ge1000 \Rightarrow A_0\ge10700=80.6) dB。设计目标取全 PVT >84 dB(实测最差 91.2 dB,余量 10.6 dB)。
  • 建立:0.1% 需 (\ln(1000)=6.9\tau)。5 ns 窗内留 ~1 ns 给压摆 → (\tau\le0.58) ns → 闭环交越 ≥275 MHz → 开环 UGBW (\approx f_c/\beta) ≈ 3 GHz 量级(实测开环 UGBW 0.94–1.21 GHz,差模环 UGF 见 §6)。
  • 压摆:底板阶跃后输出需摆 ±225 mV/侧。一级 SR = (I_{tail}/C_c) = 2.5 mA/0.9 pF = 2.8 V/ns ✓;二级 SR = (I_2/(C_L+C_f+C_{FF})) ≈ 2.3 mA/3.9 pF = 0.6 V/ns(含 CM 前馈电容负载,见 §4)。

1.4 规格汇总

公式 数值
总噪声预算 (P_{sig}/10^{7.2}) 79.9 µV rms
OTA 噪声(ADC 输入折算) (V_{n,total}/\sqrt2) ≤56.5 µV rms
OTA 噪声(输出端) ×8 ≤452 µV rms
CDAC (C_s) (2kT/N_{samp}) 2.6 pF/侧
(C_f) (C_s/8) 325 fF/侧
(\beta)(含 (C_{gg})) (C_f/(C_f+C_s+C_{gg})) ≈1/10.7
输出摆幅 (8\times FS/16) 0.9 Vpp-diff(±225 mV/侧)
(A_0) (\ge NG/10^{-3}) ≥80.6 dB(设计 >84)
建立误差 归一到 0.45 V <0.1% @5 ns
输出 CM VDD/2 ±20 mV
相位裕度 差模 + 两条 CMFB >60°

2. 架构

flowchart LR
  IREF(["20 µA Iref<br/>测试台提供的唯一理想量"]) --> BIAS
  BIAS["偏置网络<br/>镜像 + 宽摆复制腿<br/>产生 VBPC / VBNC / CTRL1"]

  IN(["MDAC 虚地<br/>INP / INN"]) --> ST1
  ST1["第一级 · 折叠 cascode<br/>M1/M2 输入对,漏即折叠节点 A1/A2<br/>M7/M8 VDD 侧电流源 · M5/M6 PMOS cascode<br/>M3/M4 NMOS cascode · MFN1/MFN2 电流沉<br/>高阻输出 O1/O2"]
  ST2["第二级 · NMOS 共源<br/>M9/M10 共源管 · M11/M12 PMOS 负载<br/>Miller 补偿 Cc = 840 fF 串 Rz = 400 Ω"]
  ST1 --> ST2 --> OUT(["OUTP / OUTN<br/>CL = 500 fF 每侧"])
  OUT -- "Cf = 325 fF 每侧" --> IN

  ST1 -.-> CMFB1["CMFB1<br/>电阻平均 O1/O2 到 CMS1,与复制参考 VREF1 比较<br/>调 M7/M8 折叠电流"]
  CMFB1 -.-> ST1
  OUT -.-> CMFB2["CMFB2<br/>电阻平均 OUTP/OUTN 到 CMS,与分压 VCM 比较<br/>经二极管 MDL2 镜像;另加 CFF 电容共模前馈"]
  CMFB2 -.-> ST2
  BIAS -.-> ST1 & ST2

实线为差模信号通路,虚线为共模反馈与偏置。器件尺寸见 §3,补偿与 CMFB 元件值见 §4。

第一级:折叠 cascode(不是望远镜)。 输入对 M1/M2 的漏为折叠节点 A1/A2, M7/M8 是 VDD→A1/A2 的折叠电流源(栅 = CTRL1,CMFB1 仍靠调折叠电流控一级 共模),M5/M6 为 PMOS cascode(A1/A2→O1/O2),M3/M4 为 NMOS cascode (O1/O2→NN1/NN2),MFN1/MFN2 是底部电流沉。选折叠的理由是实测的: 0.9 V 下望远镜的 NMOS cascode 栅所需电压距 VDD 只剩 ~70 mV,两种增益提升 方案(quad DDA、单管 regulated cascode)都在角点上塌缩(§8.4)。折叠让四个 cascode 栅落在中轨,可由宽摆复制腿直接偏置,不需要辅助环路。

第二级:NMOS 共源 + Miller 补偿(串联调零电阻 Rz)。 输出摆 ±225 mV, 只能两管栈。

CMFB1:电阻平均 O1/O2 → CMS1,与内部复制参考 VREF1 比较,控制 M7/M8。 CMFB2:电阻平均 OUTP/OUTN → CMS,与分压 VCM 比较,经二极管 MDL2 镜像 到 PMOS 负载 M11/M12;另加 CFF 电容 CM 前馈(§4)。

测试台只提供一个 20 µA 理想 Iref;DUT 内无任何理想受控源,全部偏置由该 参考经晶体管镜像/复制腿产生。环路测试台中的注入源属探针,不属 DUT。

3. 器件尺寸(全部 40 个实例)

格式为 每实例 W / L(µm)× 并联倍乘 M。对称器件同尺寸。

器件 作用 W/L × M 总 W
MBN Iref 二极管 6.0/0.20 6.0
MPR / MPRN / MPC / MNC 镜像骨干 1.5/0.20, 6.0/0.20, 1.5/0.20, 6.0/0.20
MCND M3 密度复制(定 VBNC) 48.0/0.40 48.0
MCPD M5 密度复制(定 VBPC) 48.0/0.30 48.0
MREPP / MREP CMFB1 参考复制(定 VREF1) 6.0/0.20, 7.875/0.20
MCMP / MCMD 输入共模复制(定 VCMIN) 3.0/0.20, 5.0/0.20
M0 一级尾电流源 300.0/0.20 ×3 900.0
M1 / M2 NMOS 输入对 260.0/0.18 260.0
M3 / M4 NMOS cascode 400.0/0.40 400.0
M5 / M6 PMOS cascode 400.0/0.30 400.0
M7 / M8 PMOS 折叠电流源(CMFB1 控) 225.0/0.30 225.0
MFN1 / MFN2 折叠支路 NMOS 电流沉 60.0/0.50 60.0
M9 / M10 二级 NMOS 共源 150.0/0.20 ×2 300.0
M11 / M12 二级 PMOS 负载(CMFB2 控) 139.286/0.30 ×3 417.9
MS1 / MS2 CMFB1 检测对 10.0/0.20 10.0
MT1 CMFB1 尾 9.3/0.20 9.3
MDL1 / MDS1 CMFB1 二极管负载 2.25/0.30 2.25
MRA / MRB CMFB2 检测对 40.0/0.20 40.0
MTB CMFB2 尾 2.325/0.20 2.325
MDL2 / MDS2 CMFB2 二极管负载 0.55/0.30 0.55

三个尺寸是被实测钉死的,改动会立即破坏别的规格:

  • M7/M8 的 L = 0.30:在固定 W 下加长到 0.45 需要 (|V_{gs}|\approx0.60), 即 CTRL1 ≈ 0.30 V —— 低于 CMFB1 二极管实测的输出下限 0.334 V。环路会打到 轨上、M7 饿死折叠节点、M5 截止,全角点崩(实测 isupply 8.7→2.8 mA)。 要提 (r_{o7}) 必须 W/L 等比放大。
  • MCND/MCPD = 48 µm:把复制腿密度匹配到主 cascode 的 ~2.2×,使 (V_{gs}) 复制误差降到几十 mV。C2 时代的 4.8/4.9 µm(22× 密度差)把 NN1 推到 0.35–0.49 V,ff/125/0.95 下 M3 的 (v_{ds}) 只剩 2.7 mV。
  • MDL2/MDS2 = 0.55 µm:CMFB2 的失调归零条件(§4)。
  • M11/M12 的 L = 0.30:CM 收口的关键一步。前馈的有效跨导是 (k\cdot g_{m11}), (k=C_{FF}/(C_{FF}+C_{CMFB2}+C_{gg11}))。对固定 (C_{FF}) 调 W 时它在 (C_{gg11}=C_{FF}+C_{CMFB2}) 处取极值——原尺寸恰好卡在极值上,再调 W 无用 (实测 W 92.9/123.8/185.7/230 均无改善)。但 L 是独立自由度:固定 W/L 缩短 L, (g_{m11}) 不变而 (C_{gg}\propto WL) 平方下降。L 0.40→0.30 使下垂 −28.5→−25.0 mV,最优居中后的最差共模误差 22.0→19.3 mV,这一步把共模从 超标变成合格。继续缩到 0.20 共模更好(17.6 mV)但增益与建立变差。

4. 偏置、负载与补偿

参数 数值 说明
Iref 20 µA 测试台唯一理想量
VDD 0.90 V PVT 0.85 / 0.90 / 0.95
(C_s/C_f) 2.6 pF / 325 fF 每侧 CDAC 与增益 8 反馈
(C_L) 500 fF 每侧 规格给定外部负载
(C_c) / (R_z) 840 fF / 400 Ω 每侧 差模 Miller 补偿((R_z>1/g_{m9}),零点搬到左半平面)。这一对是 45/45 通过的最后一把钥匙,也是最敏感的一对,见 §10
(C_{FF}) 3 pF 每侧 输出→CTRL2 电容 CM 前馈(见下)
VCM 分压 67.2 kΩ / 71.2 kΩ 静态/建立后 CM 联合居中的修调
VBNC / VBPC 腿 8.5 kΩ 各 (NN1\approx I\cdot R_{NC})(地参考)、(A1\approx VDD-I\cdot R_{CP})(供电参考)
CMFB1 检测 / 补偿 2×100 kΩ, 2×50 fF / 40 pF 串 5 kΩ + 10 pF Miller
CMFB2 检测 / 补偿 2×100 kΩ, 2×100 fF / 2 pF 串 200 Ω
CMFB2 源退化 100 Ω 每支

(C_{FF}) 电容共模前馈是本设计的关键机制。 输出共模的变化经两只电容 立即耦合到 M11/M12 栅(CM 下沉→CTRL2 下沉→PMOS 多灌→CM 回升),差模分量 在 CTRL2 处按对称性相消。它必要的原因是 CMFB2 环路本身在 5 ns 窗口内完全 不起作用:MDL2 只载约 2 µA 却要驱动 ~11 pF 的 M11/M12 栅,环路极点落在 0.7 MHz 量级。实测 5 ns 时刻的 CM 下垂:

(C_{FF}) 0 2.2 pF 4 pF 8 pF
下垂均值 −82 mV −38 mV −28 mV −27 mV
差模环 PM 最差 76.5° 64.6° 55.0° 46.1°

前馈在 4 pF 附近饱和,而每 pF 都直接压在输出节点上((C_L) 只有 500 fF)。 定型取 3 pF。注意 (C_{FF}) 是唯一在 5 ns 内起作用的共模机制,但单靠加大 它无法收口——真正让共模合格的是把 (C_{gg11}) 降下去(M11/M12 从 1114 µm、 L=0.40 改到 418 µm、L=0.30,见 §3)。

CMFB2 失调归零条件:平衡时检测对每支流 (I_T/2) 进二极管 MDL2, CTRL2 = (V_{gs,diode}(I_T/2));这必须正好等于 M11/M12 输出 (I_2) 所需的 栅压,否则环路要靠 (CMS-VCM) 的偏差去补,那个偏差就是静态 CM 误差。条件为

[ (W/L){MDL2}=(W/L){M11}\cdot\frac{I_T/2}{I_2} ]

实测意义重大:未整定时静态 CM 误差是温度主导的(−40/27/125 °C 分别 +15.1 / +25.4 / +39.8 mV,跨度 39 mV,电源方向只有 2.7 mV);按上式取 MDL2 = 0.55 µm 后跨度压到 12 mV,剩下的均值由分压比修调平移。

静态与动态必须联合居中,不能各自归零。 静态项(+7.4…+19.6 mV)与满量程 后的下垂(−32.7…−23.6 mV)符号相反,两者都要落在 ±20 mV 内。实测把静态归零 (MDL2 加大)反而使 5 ns 时刻超标;最优公共修调点由两端点等距条件给出, RDIV_BOTTOM = 71.2 kΩ 即该点。共模修调还与建立耦合:把共模再压低会吃掉 低端摆幅下 M9/M10 的 (V_{ds}) 裕量(实测 RDIV 降 1.2 kΩ 就丢 6 个瞬态点), 所以这个修调值是一条窄脊上的解。

5. 测试台与判据

文件 测试内容
tsmc28hpcp_mdac_ota_ac.json 开环差分 AC:增益、UGBW、静态功耗、静态饱和
tsmc28hpcp_mdac_ota_dmloop.json 差分 Middlebrook 环路,PM > 60°
tsmc28hpcp_mdac_ota_cmfb1.json CMFB1 环(断高阻检测栅),PM > 60°
tsmc28hpcp_mdac_ota_cmfb2.json CMFB2 环(断高阻检测栅),PM > 60°
tsmc28hpcp_mdac_ota_noise.json 闭环保持相噪声,积分带宽 100 kHz – 20 GHz
tsmc28hpcp_mdac_ota.json (-FS/16,-FS/32,0,+FS/32,+FS/16) 五档残差 5 ns 建立
tsmc28hpcp_mdac_ota_code_transition.json 8:4:2:1+dummy 分裂 CDAC 的同步互补 0111→1000

判据:建立误差 (|V_{OD}(5\,\mathrm{ns})-V_{ideal}|/0.45<0.1\%);输出共模在 静态(t=0)与建立后(t=5 ns)两个检查点距 VDD/2 <20 mV;核心器件 (M0–M12 与折叠电流沉)在两个检查点均 (|V_{DS}|\ge|V_{DSAT}|)。

共模判据为什么是检查点而不是全窗口:流水线是采样系统,下一级只在保持相 末尾观测;A 类输出级在 450 mV 压摆中途的共模偏移是物理必然且不被观测。签核 契约里对应的度量是 checkpoint_errorcircuitopt/run_contract.py),它取 若干具名时刻上 (|signal-target|) 的最差值,与原 ngspice campaign 的 cm_static_mv / cm5_worst_mv 两列口径一致。

运行命令:

circuit-opt signoff examples/tsmc28hpcp_mdac_ota_signoff.json --workers 8 --output results/tsmc28_mdac_ota_signoff_final.json

版本化 manifest 含 11 个 case × 45 个 PVT 点 = 495 次求解,内部 BSIM 引擎 约 11 s 跑完;experiments/tsmc28_mdac_ngspice_oracle_campaign.py 是同一设计 的 ngspice foundry-deck 复核路径。

6. 标称性能(tt / 27 °C / 0.90 V)

开环差分增益(10 kHz) 94.84 dB
开环 UGBW 1.221 GHz
差模环 PM 69.1°
CMFB1 环 PM 123.9°
CMFB2 环 PM 92.8°
闭环输出噪声(100 kHz–20 GHz) 376.0 µV rms(预算 452)
ADC 输入折算噪声 376.0/8 = 47.0 µV rms(预算 56.5)
满量程残差建立(0.1% 带) 3.87 ns
输出 CM 误差(两检查点最差) 14.1 mV
电源功耗 7.353 mW @ 0.90 V

7. 45 点 PVT 汇总

网格 tt/ss/ff/sf/fs × −40/27/125 °C × 0.85/0.90/0.95 V,11 个 case × 45 点 = 495 次求解,全部通过status: pass)。

规格 门限 实测范围(45 点) 最差点 余量
开环增益 >80 dB 90.4 … 97.9 dB sf/125/0.85 +10.4 dB
差模环 PM >60° 63.1 … 82.9° sf/−40/0.90 +3.1°
CMFB1 环 PM >60° 113.2 … 128.9° ss/−40/0.85 +53°
CMFB2 环 PM >60° 92.3 … 93.2° ff/−40/0.95 +32°
输出噪声(100 k–20 G) ≤452 µV 315 … 411 µV ss/125/0.95 +10%
ADC 输入折算噪声 ≤56.5 µV 39 … 51.4 µV ss/125/0.95 +9%
残差建立(五档 + 码型转换) <0.1% @5 ns 收敛于 3.3 … 4.98 ns ss/125/0.85 +0.4%
输出共模(两检查点) <20 mV 8.4 … 19.6 mV ss/125/0.85 +2%
器件饱和区 全器件两检查点 最紧余量 73 mV ff/27/0.85 (M10)
功耗 非首要 6.39 … 8.49 mW ff/125/0.95

45/45 点全规格通过。 加粗两项是薄余量项,见 §10。

8. 最差角与根因

8.1 共模:怎么从 27 mV 收到 19.6 mV

共模误差是两项之和,机理与解法在 §3(M11 的 L)、§4((C_{FF}) 与失调归零、 联合居中)已给出。收口路径按贡献排序:

步骤 最差共模误差
起点(无前馈、无失调整定) > 80 mV
+ (C_{FF}) 电容前馈 3 pF 27.2 mV
+ CMFB2 失调归零(MDL2 0.4875→0.55) 24.7 mV
+ M9/M10 收窄(抬 (V_{ov}),减二阶项) 23.6 mV
+ M11/M12 短沟化(L 0.40→0.30) 19.3 mV
+ 联合居中修调(RDIV 71.2 kΩ) 19.6 mV(全角点合格)

下垂的物理来源:二级是 A 类,(I(V_{gs})) 是凸函数,差分驱动下 (I(V+\delta)+I(V-\delta)=2I+\delta^2 I''>2I),NMOS 侧总电流上升而共栅 PMOS 不变,多出的电流把共模拽下去。CMFB2 环路补不上(极点 0.7 MHz), 只有电容前馈来得及。

8.2 建立:最后 6 个点是怎么关掉的

在共模收口后仍有 6 个点(ff/0.85 冷角)建立超差,误差形态是超线性的: ±FS/32 精确收敛(0.0 mV 误差),±FS/16 差 0.5 mV(判据带 0.45 mV)——典型的 摆幅极值增益压缩。诊断关键:ff/27/0.85 的小信号增益是全场最高的 93.7 dB, 所以与小信号增益无关;失败集中在快 NMOS 角(ff、fs 4.79 ns 也临界), 指向调零零点 (z=1/[C_c(1/g_{m9}-R_z)]) 随 (g_{m9}) 漂移产生的慢双极点。

改 (R_z) 只能搬移失败角点(280 Ω 失败 6 点、310/320 Ω 失败 3 点), 最终由 ((C_c,R_z)) 的二维扫描找到 840 fF / 400 Ω 这一点,全部 45 点通过。 这印证了原 FreePDK 设计用三极管实现 (R_z) 的理由:poly 电阻不跟踪 (1/g_{m9}),只能靠角点扫描找一个恰好全过的值(见 §10 第 1 条)。

8.3 已证死的一级拓扑(不要重试)

方案 死因(实测)
望远镜 + quad DDA 增益提升 DDA 输出管 (\lvert V_{ds}\rvert) 塌到 (\lvert V_{th,p}-V_{th,n}\rvert),sf/fs 下三极区 30–60 mV
望远镜 + AC 耦合 boost 需 4×68 pF MOM(~1.4 mm²);大信号 hold 步进把 cascode 栅拽飞,5/6 角点瞬态崩
折叠 + 单管 regulated cascode booster 把 NN1 钉在 (VDD-\lvert V_{gs,p}\rvert)(供电参考),而 O1 = VREF1 是地参考;±5% 供电下 ff/125/0.95 的 N-to-P 静态窗口挤到 0.10 V,M3 的 (v_{ds}) = 2.7 mV

结论:0.9 V 下这一级不需要也养不起辅助增益环路;宽摆复制腿 + 长沟 cascode 本征就有 90–98 dB,是正确解。

8.4 共模通路上已证死的三条(不要重试)

方案 死因(实测)
CMFB2 提速(尾流与镜像等比放大 4×/8×) 部分角点丢失 DC 锁定,静态共模跑到 −361 mV
输出负载分裂 + RC 缓驱 下垂零改善(−38.0 vs −37.9 mV);(R_{SPL}) 加到 2 kΩ 更差
输出负载分裂 + 复制偏置固定大部分 开环复制腿跨角点不跟踪,静态共模跨 +27…+343 mV

另有一条看似合理但无效:把 (C_{FF}) 加深到 4–8 pF。下垂在 4 pF 饱和 (−28 mV),而差模 PM 一路掉到 46°——前馈不是能一直加大的旋钮。

9. 功耗与 FOM

支路 电流(tt/27/0.9)
一级尾 M0 ~2.5 mA
二级 M9/M11 ×2 ~5.0 mA
CMFB1/CMFB2/偏置腿 ~0.6 mA
合计(实测 VDD 支路) 8.17 mA → 7.353 mW
  • (P/f_s) = 7.353 mW / 100 MS/s = 73.5 pJ/conversion(仅第一级 OTA)
  • Schreier 式参考值 (=SNDR+10\log_{10}(BW/P)),取 (BW=f_s/2): (72+10\log_{10}(50\ \mathrm{MHz}/7.353\ \mathrm{mW})=) 170.3 dB

两者都只覆盖第一级 OTA,不是整机 ADC 实测 FOM。功耗由噪声((g_{m1}))与 压摆((I_2))预算直接推出。

10. 诚实披露

  1. 补偿网络对元件容差敏感——这是最重要的保留项。 实测:(C_c) ±10% (MOM 电容的典型绝对容差)会破坏 45/45(−10% 差模 PM 掉到 6 个点不合格, +10% 掉 45 个瞬态点);(R_z) ±20%(poly 电阻的典型绝对容差)同样破坏 (304 Ω 丢 12 点、456 Ω 丢 29 点)。相比之下 (C_{FF}) ±10% 完全无害 (两个方向都 270/270)。结论:(R_z) 应改用三极管实现并由 M9 的复制腿 偏置,使 (R_z\propto 1/g_{m9}) 跨角点跟踪(原 FreePDK 设计正是如此, TSMC28 移植时被替换成 poly 电阻)。这是下一个工作包的第一项。
  2. 两项余量薄:建立 4.98/5.0 ns(+0.4%)、输出共模 19.6/20 mV(+2%)。 两者都在 ss/125/0.85。这是一次标称设计的全角点通过,不等于量产签核—— 后者还需要失配蒙特卡洛与版图寄生。
  3. 噪声口径:签核量是 100 kHz–20 GHz 的输出积分噪声(采样系统会把全带 噪声混叠进奈奎斯特带),ADC 输入折算按 /8 报告。契约里的 integrated_input_noise 只作报告:把输出 PSD 除以 (|H(f)|) 再积到 20 GHz 会在闭环带宽以上发散(实测 395–513 µV,非物理)。
  4. 共模判据是检查点而非全窗口(§5):流水线是采样系统,下一级只在保持相 末尾观测;A 类输出级在 450 mV 压摆中途的共模偏移是物理必然且不被观测。 已验证这不是宽松化——用全窗口判据与检查点判据得到的通过点数相同(139 vs 139),说明失败点本来就落在 5 ns 检查点上。
  5. 测试台伪影:RDC = 2 MΩ 的 DC 辅助通路经传输门在保持相断开,远端另以 1 TΩ 提供数值参考;Cadence 中应替换为真实采样相开关。
  6. 版图效应(失配、poly R 精度、MOM 寄生)未建模;蒙特卡洛未跑。
  7. 引擎:本文数值来自仓库内部 BSIM4 引擎(45 点 11 s)。同一设计的 ngspice foundry-deck 复核路径已恢复可用,全 45 点 oracle 复核约 3–4 h,属下一工作包。